NVTFS003N04CTAG

onsemi
863-NVTFS003N04CTAG
NVTFS003N04CTAG

制造商：

说明：
MOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

数据表:
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库存量: 5,598

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥19.9332 ¥19.93
¥12.8255 ¥128.26
¥8.7688 ¥876.88
¥7.006 ¥3,503.00
¥6.9156 ¥6,915.60
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥6.4184 ¥9,627.60
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
WDFN-8
N-Channel
1 Channel
40 V
103 A
3.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
69 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: MY
下降时间: 3 ns
正向跨导 - 最小值: 93 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 47 ns
系列: NVTFS003N04C
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

单N沟道功率MOSFET

安森美半导体单N沟道功率MOSFET是一款小尺寸、设计紧凑的MOSFET，具有低RDS(on) 和低电容。低RDS(on) 值可最大限度降低导通损耗，低电容可最大限度降低驱动器损耗。这些单N沟道功率MOSFET不含铅，符合RoHS指令，工作温度范围为- 55°C至175°。

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

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