NVTFS4C02NTAG

onsemi
863-NVTFS4C02NTAG
NVTFS4C02NTAG

制造商：

说明：
MOSFET T6 30V NCH U8FL

数据表:
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库存量: 993

库存：
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38 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥19.6055 ¥19.61
¥14.0572 ¥140.57
¥11.0853 ¥1,108.53
¥9.1869 ¥4,593.45
¥8.5993 ¥8,599.30
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥8.5993 ¥12,898.95
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
WDFN-8
N-Channel
1 Channel
30 V
162 A
2.25 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
20 nC
- 55 C
+ 175 C
3.2 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: MY
产品类型: MOSFETs
系列: NVTFS4C02N
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

单N沟道功率MOSFET

安森美半导体单N沟道功率MOSFET是一款小尺寸、设计紧凑的MOSFET，具有低RDS(on) 和低电容。低RDS(on) 值可最大限度降低导通损耗，低电容可最大限度降低驱动器损耗。这些单N沟道功率MOSFET不含铅，符合RoHS指令，工作温度范围为- 55°C至175°。

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

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