PJD30N15_L2_00001

Name: Panjit PJD30N15_L2_00001
Brand: Panjit
SKU: 241-PJD30N15L200001
Price: 3.22 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

241-PJD30N15L200001

制造商编号：

PJD30N15_L2_00001

制造商：

Panjit

说明：

MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

数据表:

PJD30N15_L2_00001 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Panjit
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-252AA-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	25 A
Rds On-漏源导通电阻:	90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	29.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	102 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
商标:	Panjit
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	TW
下降时间:	23 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	21 ns
系列:	NFET-150SMN
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	32 ns
典型接通延迟时间:	14 ns
单位重量:	297 mg

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ECCN:: EAR99

150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs

PANJIT 150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs are designed with high-speed switching and operate from 4A to 125A continuous drain current. These enhancement-mode MOSFETs are non-automotive devices that operate from -55°C to 175°C junction and storage temperature range. The 150V N-channel MOSFETs are 100% avalanche tested and 100% Rg tested. These N-channel MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0. The 150V N-channel MOSFETs are ideal for Battery Management Systems (BMS), Brushless Direct Current (BLDC), and Switch Mode Power Supplies (SMPS).