PSMN1R9-40YSBX

Nexperia
771-PSMN1R9-40YSBX
PSMN1R9-40YSBX

制造商:

说明:
MOSFET SOT669 N-CH 40V 200A

ECAD模型:
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库存量: 1,945

库存:
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生产周期:
53 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于1945的订购须受最低订购要求的限制。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥16.7127 ¥16.71
¥10.6672 ¥106.67
¥7.1981 ¥719.81
¥5.7856 ¥2,892.80
¥5.2658 ¥5,265.80
¥4.8477 ¥7,271.55

产品属性 属性值 选择属性
Nexperia
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
Power-SO8-4
N-Channel
1 Channel
40 V
200 A
1.9 mOhms
- 20 V, 20 V
3.6 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
194 W
Enhancement
商标: Nexperia
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
下降时间: 13 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: N-Channel TrenchMOS Superjunction Technology MOSFET
典型关闭延迟时间: 33 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
零件号别名: 934665891115
找到的产品:
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已选择的属性: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

EMC优化的NextPowerS3 MOSFET

Nexperia EMC优化的NextPowerS3 MOSFET采用高效且节省空间的LFPAK56封装。 这些MOSFET耐雪崩。NextPowerS3 MOSFET支持+175°C的最高结温。这些MOSFET符合欧盟RoHS规定。NextPowerS3 MOSFET的峰值焊接温度为+260°C,储存温度范围为-55°C至+175°C。典型应用包括DC-DC转换器和无刷直流电机控制。