RD3L07BBGTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3L07BBGTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3L07BBGTL1
Price: 26.5 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-RD3L07BBGTL1

制造商编号：

RD3L07BBGTL1

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

数据表:

RD3L07BBGTL1 数据表

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¥-.--

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥29.945	¥29.95
	¥19.6055	¥196.06
	¥13.7295	¥1,372.95
	¥11.2548	¥5,627.40
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥11.2548	¥28,137.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-252-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	115 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	47 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	102 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	27 ns
正向跨导 - 最小值:	72 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	12 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	72 ns
典型接通延迟时间:	21 ns
零件号别名:	RD3L07BBG

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RSDTxxNSFH汽车用TVS

ROHM Semiconductor RSDTxxNSFH瞬态电压抑制器 (TVS) 可保护敏感电子设备免受低于3600W (t_p= 10/1000μs) 的浪涌。这些电压抑制器是单向、高度可靠的器件，适用于汽车应用。RSDTxxNSFH抑制器是电源模具类型，具有大电流过载能力。这些电压抑制器采用硅外延平面结构，具有5W功耗 (P_D)。ROHM Semiconductor RSDTxxNSFH抑制器非常适合用于浪涌保护。