RGS30TSX2GC11

ROHM Semiconductor
755-RGS30TSX2GC11
RGS30TSX2GC11

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Field Stop Trench IGBT

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¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥60.8844 ¥60.88
¥42.0247 ¥420.25
¥30.1936 ¥3,019.36
¥29.7755 ¥13,398.98

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247N-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.1 V
30 V
30 A
267 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
商标: ROHM Semiconductor
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TH
栅极—射极漏泄电流: 500 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 450
子类别: IGBTs
零件号别名: RGS30TSX2
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

Specification Sheets

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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

RGSx0TSX2x场终止沟槽型IGBT

ROHM Semiconductor RGSx0TSX2x场终止沟槽型IGBT是10µs SCSOA（短路安全工作区）保证绝缘栅极双极晶体管，适合用于通用逆变器、UPS、PV逆变器和功率调节器应用。RGSx0TSX2x IGBT具有低导通损耗，有助于减小尺寸，提高效率。这些器件采用原始沟槽栅极和薄晶圆技术。这些技术有助于实现低集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat))，同时降低开关损耗。这些IGBT可在各种高压和大电流应用中进一步节能。

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.

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