SBR1045D1-13

Name: Diodes Incorporated SBR1045D1-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-SBR1045D1-13
Price: 7.25 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

621-SBR1045D1-13

制造商编号：

SBR1045D1-13

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

肖特基二极管与整流器 10A SBR 45V VRRM 10A 0.58VF 0.3mA

数据表:

SBR1045D1-13 数据表 (PDF)

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封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥8.1925	¥8.19
	¥5.6613	¥56.61
	¥4.5878	¥458.78
	¥3.5934	¥1,796.70
	¥3.2544	¥3,254.40
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥2.8702	¥7,175.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	肖特基二极管与整流器
RoHS:
REACH - SVHC:
产品:	Schottky Rectifiers
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
配置:	Single Dual Anode
技术:	Si
If - 正向电流:	10 A
Vrrm - 重复反向电压:	45 V
Vf - 正向电压:	580 mV
Ifsm - 正向浪涌电流:	90 A
Ir - 反向电流 :	50 uA
最小工作温度:	- 65 C
最大工作温度:	+ 150 C
系列:	SBR1045
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Diodes Incorporated
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
产品类型:	Schottky Diodes & Rectifiers
工厂包装数量:	2500
子类别:	Diodes & Rectifiers
Vr - 反向电压 :	32 V
单位重量:	350 mg

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数据表

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PCN

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

汽车用超级势垒整流器

Diodes Incorporated汽车用超级势垒整流器 (SBR) 设计采用获得专利的超级势垒技术，具有出色的耐雪崩性能。这些SBR整流器具有低正向压降，非常适合用于汽车应用。该系列汽车用SBR二极管采用无铅涂层，同时符合AEC-Q101标准，可靠性极高。该系列SBR整流器具有1A - 30A的正向电流范围以及500mV - 0.7V的正向电压范围。

SBR® Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc SBR^® Super Barrier Rectifiers use a MOS manufacturing process to create a superior two-terminal device with a lower forward voltage than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes. SBR Diodes are designed for high power, low loss and fast switching applications. The presence of a MOS channel within its structure forms a low potential barrier for the majority carriers. That means SBR forward bias operation at low voltage is similar to a Schottky diode. The leakage current is lower than Schottky Diode in reverse bias due to the overlap of the P-N depletion layers and the absence of potential barrier reduction due to the image charge.