SCS220AE2HRC11

ROHM Semiconductor
755-SCS220AE2HRC11
SCS220AE2HRC11

制造商：

说明：
碳化硅肖特基二极管 AECQ

数据表:
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数量 单价
总价
¥84.4562 ¥84.46
¥48.6352 ¥486.35
¥45.8215 ¥4,582.15

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
Through Hole
TO-247N-3
Dual
20 A
650 V
1.55 V
76 A
200 uA
+ 175 C
AEC-Q101
Tube
商标: ROHM Semiconductor
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TH
Pd-功率耗散: 160 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 450
子类别: Diodes & Rectifiers
Vr - 反向电压 : 650 V
零件号别名: SCS220AE2HR
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已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

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CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99

碳化硅 (SiC) 功率器件

ROHM Semiconductor SiC功率器件的绝缘击穿场强是传统硅功率器件的10倍，而带隙和热传导性能均是硅器件的3倍，因此，SiC功率器件具有更低的开关损耗和导通电阻，以及较高的工作温度，进而可降低功耗，缩小模块尺寸。此外，设计时所需要的元器件数也更少，降低了设计复杂度。

AEC-Q101 SiC肖特基势垒二极管

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC肖特基势垒二极管可提供600V的击穿电压，这个值远超过了硅SBD（肖特基势垒二极管）的上限。AEC-Q101二极管采用SiC材料，是PFC电路和逆变器的理想选择。此器件采用的技术降低了反向恢复电荷与开关损耗，可以最大程度缩小终端产品尺寸。它拥有650V-1200V的反向电压范围，1.2uA-260uA的连续正向电流，以及48W-280W的总功耗，采用TO-220、TO-247和TO-263封装，可在最高+175°C的高温环境下工作。 

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