SCT011HU75G3AG

STMicroelectronics
511-SCT011HU75G3AG
SCT011HU75G3AG

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
完成您的设计

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解STMicroelectronics SCT011HU75G3AG详情

库存量: 7

库存：
7 可立即发货
生产周期：
22 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按600的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥206.8691 ¥206.87
¥152.0302 ¥1,520.30
¥151.9511 ¥15,195.11
整卷卷轴（请按600的倍数订购）
¥141.9393 ¥85,163.58
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
HU3PAK-7
N-Channel
1 Channel
750 V
110 A
15 mOhms
- 10 V, + 22 V
3.2 V
154 nC
- 55 C
+ 175 C
652 W
Enhancement
AEC-Q101
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: JP
下降时间: 9 ns
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品: SiC MOSFETS
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 42 ns
典型接通延迟时间: 23 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

PCN

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

汽车级碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics汽车级碳化硅功率MOSFET采用ST先进的创新第二/第三代碳化硅MOSFET技术开发而成。   该器件具有单位面积导通电阻低、开关性能好等特点。  这些MOSFET具有非常高的工作温度能力（TJ = 200°°C），以及非常快速而坚固的本征体二极管。

碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻RDS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。