SCT020HU120G3AG

Name: STMicroelectronics SCT020HU120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT020HU120G3AG
Price: 150.13 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-SCT020HU120G3AG

制造商编号：

SCT020HU120G3AG

制造商：

STMicroelectronics

说明：

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

完成您的设计

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

SCT020HU120G3AG 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解STMicroelectronics SCT020HU120G3AG详情

库存量: 433

库存：: 433

可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
在途量:: 600
生产周期：: 22

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按600的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥169.6469	¥169.65
	¥140.6172	¥1,406.17
	¥121.588	¥12,158.80
整卷卷轴（请按600的倍数订购）
	¥112.9096	¥67,745.76
1,200	报价

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	HU3PAK-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	100 A
Rds On-漏源导通电阻:	28 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	121 nC
最小工作温度:	- 55 C
Pd-功率耗散:	555 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	JP
下降时间:	34 ns
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品:	SiC MOSFETS
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	57 ns
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	101 ns
典型接通延迟时间:	54 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

SCT020HU120G3AG 数据表 (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-5-3 (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻R_DS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。