SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics
511-SCT025W120G3-4AG
SCT025W120G3-4AG

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
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¥-.--
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数量 单价
总价
¥159.895 ¥159.90
¥106.8641 ¥1,068.64
¥98.4343 ¥9,843.43
¥92.0611 ¥55,236.66

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HiP-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
56 A
37 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.2 V
73 nC
- 55 C
+ 200 C
388 W
Enhancement
AEC-Q101
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 18 ns
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 5.7 ns
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 32.5 ns
典型接通延迟时间: 16.4 ns
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

汽车级碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics汽车级碳化硅功率MOSFET采用ST先进的创新第二/第三代碳化硅MOSFET技术开发而成。   该器件具有单位面积导通电阻低、开关性能好等特点。  这些MOSFET具有非常高的工作温度能力（TJ = 200°°C），以及非常快速而坚固的本征体二极管。

碳化硅功率MOSFET

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