SCT4026DW7TL

ROHM Semiconductor
755-SCT4026DW7TL
SCT4026DW7TL

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC

数据表:
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库存量: 2,008

库存：
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生产周期：
27 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于2008的订购须受最低订购要求的限制。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥140.2895 ¥140.29
¥106.785 ¥1,067.85
¥91.982 ¥9,198.20
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥85.9365 ¥85,936.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
750 V
51 A
26 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
94 nC
+ 175 C
150 W
Enhancement
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TH
下降时间: 13 ns
正向跨导 - 最小值: 16 S
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品: MOSFET's
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 22 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 9.5 ns
零件号别名: SCT4026DW7
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已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

SCT4026DW7 N沟道SiC功率MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4026DW7 N沟道SiC功率MOSFET是一款750V、26mΩ MOSFET，采用TO-263-7L封装。SCT4026DW7易于驱动和并联，具有快速反向恢复功能。SCT4026DW7非常适合用于太阳能逆变器、感应加热和电机驱动器。

750V N沟道SiC MOSFET

ROHM Semiconductor 750V N通道SiC MOSFET可提升开关频率，因此减少所需的电容器、电抗器以及其他组件的数量。这些SiC MOSFET采用TO-247N、TOLL、TO-263-7L、TO-263-7LA和TO-247-4L封装。此系列器件的静态漏源导通电阻（RDS(on)）额定值为13mΩ至65mΩ（典型值），连续漏极电流（ID）和源极电流（IS）范围为22A至120A（TC=25°C时）。这些ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高速开关特性，充分利用了SiC技术的独特优势。

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