SCT4045DRHRC15

ROHM Semiconductor
755-SCT4045DRHRC15
SCT4045DRHRC15

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC

数据表:
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥93.3832 ¥93.38
¥64.9298 ¥649.30

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
750 V
34 A
59 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
63 nC
+ 175 C
115 W
Enhancement
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TH
下降时间: 10 ns
正向跨导 - 最小值: 9.3 S
封装: Tube
产品: MOSFET's
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 16 ns
工厂包装数量: 450
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 5.1 ns
零件号别名: SCT4045DRHR
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已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

第四代N沟道SiC功率MOSFET

ROHM Semiconductor第四代N沟道碳化硅 (SiC) 功率MOSFET具有低导通电阻，改进了短路耐受时间。第四代SiC MOSFET易于并联、驱动简单。此系列MOSFET具有快速开关和快速反向恢复特性，开关损耗低，最大工作温度为+175°C。ROHM第四代N沟道SiC功率MOSFET支持15V栅源电压，有助于降低器件功耗。

AEC-Q101 SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles. Vehicle batteries are trending towards larger capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on board chargers such as 11kW and 22kW. This leads to increased adoption of SiC MOSFETs. The AEC-Q101 SiC Power MOSFETs meet the needs of electronic vehicles and utilize a trench gate structure. The future design of ROHM's SiC MOSFETs endeavors to improve quality, strengthen its lineup to increase device performance, reduce power consumption, and achieve greater miniaturization.

750V N沟道SiC MOSFET

ROHM Semiconductor 750V N通道SiC MOSFET可提升开关频率，因此减少所需的电容器、电抗器以及其他组件的数量。这些SiC MOSFET采用TO-247N、TOLL、TO-263-7L、TO-263-7LA和TO-247-4L封装。此系列器件的静态漏源导通电阻（RDS(on)）额定值为13mΩ至65mΩ（典型值），连续漏极电流（ID）和源极电流（IS）范围为22A至120A（TC=25°C时）。这些ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高速开关特性，充分利用了SiC技术的独特优势。

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