SGT190R70ILB

STMicroelectronics
511-SGT190R70ILB
SGT190R70ILB

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
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STMicroelectronics
产品种类: GaN 场效应晶体管
发货限制：
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RoHS:  
SMD/SMT
PowerFLAT-8
700 V
11.5 A
190 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
2.8 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 4 ns
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品: FET
产品类型: GaN FETs
上升时间: 4 ns
系列: SGT
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
技术: GaN
类型: PowerGaN Transistor
典型关闭延迟时间: 1.7 ns
典型接通延迟时间: 1.4 ns
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN晶体管

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN晶体管是一款高性能增强模式（常关型）GaN设备，旨在为要求苛刻的功率转换应用提供极快的开关速度、低导通损耗和大功率密度。这些晶体管利用氮化镓的宽禁带优势，实现了极低的电容、最小栅极电荷和零反向恢复电荷，从而实现了比传统硅功率开关更优异的效率。

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