SGT65R65AL

Name: STMicroelectronics SGT65R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT65R65AL
Price: 34.55 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-SGT65R65AL

制造商编号：

SGT65R65AL

制造商：

STMicroelectronics

说明：

GaN 场效应晶体管 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerFLAT-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	25 A
Rds On-漏源导通电阻:	65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	+ 6 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.8 V
Qg-栅极电荷:	5.4 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	305 W
商标:	STMicroelectronics
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
湿度敏感性:	Yes
封装:	Reel
产品类型:	GaN FETs
系列:	SGT
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
技术:	GaN-on-Si
晶体管类型:	E-Mode
类型:	RF Power MOSFET
单位重量:	76 mg

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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