SI4151DY-T1-GE3

Name: Vishay SI4151DY-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI4151DY-T1-GE3
Price: 13.98 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SI4151DY-T1-GE3

制造商编号：

SI4151DY-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET SO8 P-CH 30V 15.2A

数据表:

SI4151DY-T1-GE3 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Vishay Semiconductors SI4151DY-T1-GE3详情

库存量: 424

库存：: 424 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 5 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥15.7974	¥15.80
	¥10.0909	¥100.91
	¥6.78	¥678.00
	¥5.3788	¥2,689.40
	¥4.7347	¥4,734.70
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥4.7347	¥11,836.75

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SO-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	20.5 A
Rds On-漏源导通电阻:	7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	28 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	5.6 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	20 ns
正向跨导 - 最小值:	37 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	67 ns
系列:	Si4151DY
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	30 ns
典型接通延迟时间:	26 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

SI4151DY-T1-GE3 数据表

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Si4 & Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs

Vishay Semiconductor Si4 and Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs features a small footprint and on-resistance rating down to 1.2V. The Vishay / Siliconix Si4 and Si7 offers 20V and 30V VDS in a PowerPAK SO-8 package.