SI7135DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors
781-SI7135DP-T1-GE3
SI7135DP-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

数据表:
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封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥23.5718 ¥23.57
¥15.0516 ¥150.52
¥11.0062 ¥1,100.62
¥9.0965 ¥4,548.25
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥8.6897 ¥26,069.10
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
P-Channel
1 Channel
30 V
60 A
3.9 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
167 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 50 ns
正向跨导 - 最小值: 95 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 100 ns
系列: SI7
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 110 ns
零件号别名: SI7135DP-GE3
单位重量: 506.600 mg
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Si4 & Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs

Vishay Semiconductor Si4 and Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs features a small footprint and on-resistance rating down to 1.2V. The Vishay / Siliconix Si4 and Si7 offers 20V and 30V VDS in a PowerPAK SO-8 package. 

Si71 MOSFET

Vishay Si71 MOSFET采用TrenchFET® 第三代功率MOSFET技术和低热阻PowerPAK® 1212-8和PowerPak SO-8封装。MOSFET 100%经过Rg和UIS测试，确保可靠性和性能。  N通道和P通道MOSFET符合IEC 61249-2-21规定，不含卤素。这些紧凑型MOSFET非常适合用于空间和热管理至关重要的应用。

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