SI7812DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors
781-SI7812DN-T1-GE3
SI7812DN-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET 75V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

数据表:
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封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥23.2441 ¥23.24
¥15.0516 ¥150.52
¥10.4186 ¥1,041.86
¥8.5202 ¥4,260.10
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥8.0456 ¥24,136.80
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
N-Channel
1 Channel
75 V
16 A
37 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
16 nC
- 55 C
+ 150 C
52 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 50 ns
正向跨导 - 最小值: 23 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 130 ns
系列: SI7
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N Channel
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
零件号别名: SI7812DN-GE3
单位重量: 1 g
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

SI78 N沟道 (D-S) MOSFET

Vishay Semiconductors SI78 N沟道 (D-S) MOSFET采用新型低热阻PowerPAK® 封装，具有1.07mm的纤薄外形。这些N沟道 (D-S) MOSFET经过PWM优化，100%经过Rg 测试，不含卤素，符合RoHS标准。SI78 MOSFET用于直流/直流转换器、直流/直流应用的一次侧开关以及同步整流器。

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