SI7820DN-T1-GE3

Name: Vishay SI7820DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7820DN-T1-GE3
Price: 20.57 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

781-SI7820DN-T1-GE3

制造商编号：

SI7820DN-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

数据表:

SI7820DN-T1-GE3 数据表

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封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥23.2441	¥23.24
	¥14.9725	¥149.73
	¥10.3395	¥1,033.95
	¥8.5202	¥4,260.10
	¥7.9213	¥7,921.30
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥7.119	¥21,357.00
24,000	报价

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK-1212-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	200 V
Id-连续漏极电流:	1.7 A
Rds On-漏源导通电阻:	240 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	12.1 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.5 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	17 ns
正向跨导 - 最小值:	8 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	12 ns
系列:	SI7
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N Channel
典型关闭延迟时间:	30 ns
典型接通延迟时间:	11 ns
零件号别名:	SI7820DN-GE3
单位重量:	1 g

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数据表

SI7820DN-T1-GE3 数据表

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SI78 N沟道 (D-S) MOSFET

Vishay Semiconductors SI78 N沟道 (D-S) MOSFET采用新型低热阻PowerPAK^® 封装，具有1.07mm的纤薄外形。这些N沟道 (D-S) MOSFET经过PWM优化，100%经过_Rg 测试，不含卤素，符合RoHS标准。SI78 MOSFET用于直流/直流转换器、直流/直流应用的一次侧开关以及同步整流器。