SI7858BDP-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SI7858BDP-T1-GE3
SI7858BDP-T1-GE3

制造商:

说明:
MOSFET 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SO-8

ECAD模型:
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库存量: 2,122

库存:
2,122 可立即发货
生产周期:
4 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥17.9444 ¥17.94
¥11.7407 ¥117.41
¥7.9326 ¥793.26
¥6.328 ¥3,164.00
¥6.0794 ¥6,079.40
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥5.7517 ¥17,255.10
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
12 V
40 A
2.5 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
48 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 30 ns
正向跨导 - 最小值: 105 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 53 ns
系列: SI7
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N Channel
典型关闭延迟时间: 115 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 506.600 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SI78 N沟道 (D-S) MOSFET

Vishay Semiconductors SI78 N沟道 (D-S) MOSFET采用新型低热阻PowerPAK® 封装,具有1.07mm的纤薄外形。这些N沟道 (D-S) MOSFET经过PWM优化,100%经过Rg 测试,不含卤素,符合RoHS标准。SI78 MOSFET用于直流/直流转换器、直流/直流应用的一次侧开关以及同步整流器。