SI7892BDP-T1-GE3

Vishay / Siliconix
781-SI7892BDP-T1-GE3
SI7892BDP-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V

数据表:
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封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥26.6341 ¥26.63
¥16.6223 ¥166.22
¥11.9102 ¥1,191.02
¥9.9214 ¥4,960.70
¥9.266 ¥9,266.00
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥8.5202 ¥25,560.60
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
30 V
15 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
27 nC
- 55 C
+ 150 C
1.8 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 20 ns
正向跨导 - 最小值: 85 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 13 ns
系列: SI7
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N Channel
典型关闭延迟时间: 62 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
零件号别名: SI7892BDP-GE3
单位重量: 506.600 mg
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

SI78 N沟道 (D-S) MOSFET

Vishay Semiconductors SI78 N沟道 (D-S) MOSFET采用新型低热阻PowerPAK® 封装，具有1.07mm的纤薄外形。这些N沟道 (D-S) MOSFET经过PWM优化，100%经过Rg 测试，不含卤素，符合RoHS标准。SI78 MOSFET用于直流/直流转换器、直流/直流应用的一次侧开关以及同步整流器。

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