SI8406DB-T2-E1

Name: Vishay SI8406DB-T2-E1
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI8406DB-T2-E1
Price: 4.1 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

78-SI8406DB-T2-E1

制造商编号：

SI8406DB-T2-E1

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1

数据表:

SI8406DB-T2-E1 数据表

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥4.633	¥4.63
	¥3.5369	¥35.37
	¥2.8589	¥285.89
	¥2.3278	¥1,163.90
	¥2.1131	¥2,113.10
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥1.808	¥5,424.00
	¥1.7063	¥10,237.80
	¥1.6724	¥15,051.60

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	MicroFoot-6
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	16 A
Rds On-漏源导通电阻:	33 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	400 mV
Qg-栅极电荷:	20 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	13 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
产品类型:	MOSFETs
系列:	SI8
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
单位重量:	128.380 mg

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数据表

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Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (R_DS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.