SI8817DB-T2-E1

Vishay Semiconductors
78-SI8817DB-T2-E1
SI8817DB-T2-E1

制造商：

说明：
MOSFET -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

数据表:
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库存量: 38,148

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¥-.--
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¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥6.3393 ¥6.34
¥3.9098 ¥39.10
¥2.5199 ¥251.99
¥1.921 ¥960.50
¥1.7176 ¥1,717.60
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥1.7063 ¥5,118.90
¥1.5255 ¥9,153.00
¥1.4125 ¥12,712.50
¥1.2769 ¥30,645.60
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
MicroFoot-4
P-Channel
1 Channel
20 V
2.9 A
61 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
19 nC
- 55 C
+ 150 C
900 mW
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: US
下降时间: 22 ns
正向跨导 - 最小值: 5 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 20 ns
系列: SI8
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 52 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
单位重量: 45.104 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541210000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

工业电源解决方案

Vishay提供业界最广泛的半导体和无源元件产品组合，适用于工业电源应用。Vishay工业电源用产品组合包括功率MOSFET、功率IC、整流器、二极管、电容器、电阻器和电感器。

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (RDS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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