SIDR608EP-T1-RE3

Vishay Semiconductors
78-SIDR608EP-T1-RE3
SIDR608EP-T1-RE3

制造商：

说明：
MOSFET N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Vishay Semiconductors SIDR608EP-T1-RE3详情

库存量: 11,330

库存：
11,330 可立即发货
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥30.7699 ¥30.77
¥20.1027 ¥201.03
¥16.5432 ¥1,654.32
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥15.142 ¥45,426.00
24,000 报价
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK SO-8
N-Channel
1 Channel
40 V
228 A
1.36 mOhms
- 16 V, 20 V
2.3 V
167 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TW, CN
下降时间: 25 ns
正向跨导 - 最小值: 120 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 86 ns
系列: SIDR
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 52 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

PCN

此功能要求启用JavaScript。

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

N沟道30-45V (D-S) MOSFET

Vishay N沟道30-45V (D-S) MOSFET是TrenchFET®第四代功率MOSFET，具有具有非常低的RDS Qg品质因数 (FOM)。该器件经过调谐，可实现最低RDS-Qoss FOM，具有顶部冷却功能，另外 还可在器件上的另一个位置实现热传递。MOSFET经 100% Rg和UIS测试。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。