SIJH5100E-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIJH5100E-T1-GE3
SIJH5100E-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET PWRPK 100V N-CH MOSFET

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Vishay / Siliconix SIJH5100E-T1-GE3详情

库存量: 1,857

库存：
1,857 可立即发货
生产周期：
8 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥27.2104 ¥27.21
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
¥27.2104 ¥54,420.80

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-4
N-Channel
1 Channel
100 V
277 A
1.89 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
85 nC
- 55 C
+ 175 C
333 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 21 ns
正向跨导 - 最小值: 120 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 17 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 41 ns
典型接通延迟时间: 24 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SiSS52DN和SiSS54DN N沟道TrenchFET® Gen V功率MOSFET

Vishay / Siliconix SiSS52DN和SiSS54DN N沟道TrenchFET Gen V功率MOSFET具有非常低的RDS(on)，可实现更高功率密度。这款功率MOSFET具有30V VDS 和非常低的RDS x Qg 品质因数 (FOM)。SiSS52DN N沟道MOSFET通常具有162A ID 和19.9nC Qg。而SiSS54DN N 沟道MOSFET通常具有185.6A ID 和21nC Qg 。这款经过100% Rg 和无钳位电感开关 (UIS) 测试的MOSFET采用具有一个配置的紧凑型热增强PowerPAK® 1212-8S封装。典型应用包括直流/直流转换器、负载点 (POL)、同步整流、电源和负载开关以及电池管理。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。