SISF02DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SISF02DN-T1-GE3
SISF02DN-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET PPAK1212 2NCH 25V 30.5A

数据表:
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库存量: 3,509

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥20.1027 ¥20.10
¥11.413 ¥114.13
¥8.5202 ¥852.02
整卷弹药盒（请按3000的倍数订购）
¥7.4919 ¥22,475.70
¥5.311 ¥31,866.00

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
N-Channel
1 Channel
30 V
40 A
2.15 mOhms
- 16 V, 20 V
1.1 V
51 nC
- 55 C
+ 150 C
52 W
Enhancement
PowerPAK
Ammo Pack
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 10 ns
正向跨导 - 最小值: 105 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 17 ns
系列: SISF
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 25 ns
典型接通延迟时间: 24 ns
单位重量: 1 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

带共漏极的集成MOSFET

Vishay带共漏极的集成MOSFET是采用表面贴装的1、2和3通道器件。集成MOSFET具有N通道和N+P通道选项，以及20V至200V的击穿电压范围。增强型MOSFET具有6或8个引脚，功耗范围为1.5W至69.4W，漏源电阻为2.15mΩ至26mΩ。

集成MOSFET解决方案

Vishay集成MOSFET解决方案将各种元件集成到单一芯片中，可提高功率密度、提高效率、简化设计并降低物料清单 (BOM) 成本。这些单芯片和多芯片MOSFET集成了肖特基势垒二极管和ESD保护等特性。这些MOSFET采用低导通电阻N沟道和P沟道TrenchFET®技术，具有低热阻。

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