SISS52DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SISS52DN-T1-GE3
SISS52DN-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET PPAK1212 N-CH 30V 47.1A

数据表:
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库存量: 4,052

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¥-.--
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封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥14.0572 ¥14.06
¥9.0174 ¥90.17
¥5.989 ¥598.90
¥4.7234 ¥2,361.70
¥4.3166 ¥4,316.60
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥4.0228 ¥12,068.40
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK1212-8S
N-Channel
1 Channel
30 V
162 A
1.2 mOhms
- 12 V, 16 V
4.2 V
65 nC
- 55 C
+ 150 C
57 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 6 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 6 ns
系列: SISS
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N - Channel
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiSS52DN和SiSS54DN N沟道TrenchFET® Gen V功率MOSFET

Vishay / Siliconix SiSS52DN和SiSS54DN N沟道TrenchFET Gen V功率MOSFET具有非常低的RDS(on)，可实现更高功率密度。这款功率MOSFET具有30V VDS 和非常低的RDS x Qg 品质因数 (FOM)。SiSS52DN N沟道MOSFET通常具有162A ID 和19.9nC Qg。而SiSS54DN N 沟道MOSFET通常具有185.6A ID 和21nC Qg 。这款经过100% Rg 和无钳位电感开关 (UIS) 测试的MOSFET采用具有一个配置的紧凑型热增强PowerPAK® 1212-8S封装。典型应用包括直流/直流转换器、负载点 (POL)、同步整流、电源和负载开关以及电池管理。

TrenchFET®第五代功率MOSFET，带VDS

Vishay/Siliconix TrenchFET® 第五代功率MOSFET具有非常低的RDS x Qg 品质因数（FOM），可提高功率转换效率。该第五代功率MOSFET具有80V、100V和150V漏源击穿电压选项。第五代功率MOSFET采用PowerPAK® 1212-8SH或PowerPAK SO-8单封装。

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