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SIZ340DT-T1-GE3

Name: Vishay SIZ340DT-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIZ340DT-T1-GE3
Price: 10.54 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SIZ340DT-T1-GE3

制造商编号：

SIZ340DT-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

数据表:

SIZ340DT-T1-GE3 数据表

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库存量: 968

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封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥11.9102	¥11.91
	¥7.5032	¥75.03
	¥4.9833	¥498.33
	¥4.3392	¥2,169.60
	¥3.5595	¥3,559.50
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥3.1414	¥9,424.20

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAIR-3x3-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	30 A, 40 A
Rds On-漏源导通电阻:	9.5 mOhms, 5.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 16 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V
Qg-栅极电荷:	19 nC, 35 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	16.7 W, 31 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Dual
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	TW, CN
下降时间:	7 ns, 7 ns
正向跨导 - 最小值:	37 S, 60 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	55 ns, 82 ns
系列:	SIZ
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	16 ns, 20 ns
典型接通延迟时间:	13 ns, 22 ns
单位重量:	143.050 mg

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数据表

SIZ340DT-T1-GE3 数据表

Models

PCN

Product Change Notification 2024-01-09 (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs

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Vishay集成MOSFET解决方案将各种元件集成到单一芯片中，可提高功率密度、提高效率、简化设计并降低物料清单 (BOM) 成本。这些单芯片和多芯片MOSFET集成了肖特基势垒二极管和ESD保护等特性。这些MOSFET采用低导通电阻N沟道和P沟道TrenchFET^®技术，具有低热阻。

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