SQJ960EP-T1_GE3 MOSFET

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
Vishay Semiconductors MOSFET 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
数据表
77,916库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 60 V 8 A 30 mOhms, 30 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
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数据表

Si AEC-Q100 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel