SQUN702E-T1_GE3

Vishay Semiconductors
78-SQUN702E-T1_GE3
SQUN702E-T1_GE3

制造商：

说明：
MOSFET 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V

数据表:
ECAD模型:
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供货情况

库存：
无库存
生产周期：
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥34.239 ¥34.24
¥25.1425 ¥251.43
¥17.8653 ¥1,786.53
¥16.5432 ¥8,271.60
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
¥15.3906 ¥30,781.20
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
Triple die
N-Channel, P-Channel
3 Channel
40 V, 200 V
20 A, 30 A
9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms
- 25 V, 25 V
1.5 V, 2.5 V
14 nC, 23 nC, 30.2 nC
- 55 C
+ 175 C
48 W, 60 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Triple
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: DE
下降时间: 2 ns, 10 ns, 19 ns
正向跨导 - 最小值: 16 S, 19 S, 65 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 3 ns, 9 ns, 12 ns
系列: SQUN
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 15 ns, 22 ns, 43 ns
典型接通延迟时间: 7 ns, 8 ns, 10 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

带共漏极的集成MOSFET

Vishay带共漏极的集成MOSFET是采用表面贴装的1、2和3通道器件。集成MOSFET具有N通道和N+P通道选项，以及20V至200V的击穿电压范围。增强型MOSFET具有6或8个引脚，功耗范围为1.5W至69.4W，漏源电阻为2.15mΩ至26mΩ。

集成MOSFET解决方案

Vishay集成MOSFET解决方案将各种元件集成到单一芯片中，可提高功率密度、提高效率、简化设计并降低物料清单 (BOM) 成本。这些单芯片和多芯片MOSFET集成了肖特基势垒二极管和ESD保护等特性。这些MOSFET采用低导通电阻N沟道和P沟道TrenchFET®技术，具有低热阻。

N沟道和P沟道对散热增强型MOSFET

Vishay N通道和P通道对散热增强型MOSFET将N通道和P通道MOSFET对集成到单一封装中。这些N通道和P通道MOSFET设计用于最大限度地降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持出色的开关性能。另外，通过将N沟道和P沟道MOSFET集成到单一IC中，还可以节省PCB空间并简化应用设计。

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