STF80N1K1K6

STMicroelectronics
511-STF80N1K1K6
STF80N1K1K6

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
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库存量: 1,003

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥19.9332 ¥19.93
¥9.7632 ¥97.63
¥8.6897 ¥868.97
¥6.9834 ¥3,491.70
¥6.4071 ¥6,407.10

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
800 V
5 A
1.1 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
5.7 nC
- 55 C
+ 150 C
21 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 14 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 4.3 ns
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 7.4 ns
单位重量: 1.690 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N沟道MDmesh K6功率MOSFET

STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET具有齐纳保护和100%雪崩测试。这些功率MOSFET的汲极/源极击穿电压最小为800V，±30V栅极/源极电压，工作结温范围为-55°C至150°C。MDmesh K6功率MOSFET还具有5V/ns峰值二极管恢复电压斜坡、100A/µs峰值二极管恢复电流斜坡以及120V/ns MOSFET dv/dt的坚固性。典型应用包括笔记本电脑和一体机、反激式转换器、平板电脑适配器和LED灯。

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