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STH315N10F7-2

Name: STMicroelectronics STH315N10F7-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH315N10F7-2
Price: 43.63 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

511-STH315N10F7-2

制造商编号：

STH315N10F7-2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

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数据表:

STH315N10F7-2 数据表 (PDF)

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥49.3019	¥49.30
	¥33.0864	¥330.86
	¥24.3176	¥2,431.76
	¥19.8541	¥9,927.05
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥17.6167	¥17,616.70

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	H2PAK-2
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	180 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	180 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	315 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标名:	STripFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
组装国:	CN
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	40 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	108 ns
系列:	STH315N10F7-2
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	148 ns
典型接通延迟时间:	62 ns
单位重量:	4 g

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已选择的属性: 0

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数据表

STH315N10F7-2 数据表 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE 功率 MOSFET

STMicroelectronics STH315N10F7 STripFET™ VII DeepGATE™ 功率 MOSFET 是 AEC-Q101 汽车级 N 沟道功率 MOSFET，它具有同类最佳的导通状态电阻以及很低的内部电容和栅极电荷，从而提高了传导和开关效率。这些器件采用 TO-220 或 2 引脚或 6 引脚 H2PAK 行业标准封装，可帮助设计人员减小电路板尺寸，提高功率密度。STH315N10F7 MOSFET 还具有很高的雪崩耐受性，可承受可能的破坏性条件。这些 STripFET VII DeepGATE MOSFET 有 100V 的额定电压，提供充足的安全裕量，可承受典型的过压浪涌。STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE MOSFET 还非常适合于需要高耐受性能的汽车和开关应用。
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STripFET™ 功率 MOSFET

这些 STripFET™ 功率 MOSFET 是增强模式 MOSFET，采用了最新改良的 意法半导体 专有的 STripFET™ 技术：采用全新栅极结构。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 展现出大电流和低 R_DS(on) 的特点，符合电机控制、UPS、DC/DC 转换器、感应加热汽化器、太阳能等汽车和工业开关应用的要求。意法半导体 STripFET™ 功率 MOSFET 具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 是业界最低 R_DS(on) 的 30 V - 150 V 功率 MOSFET。
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功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.