STL120N10F8

STMicroelectronics
511-STL120N10F8
STL120N10F8

制造商：

说明：
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8
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封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥21.4248 ¥21.42
¥13.8086 ¥138.09
¥9.5146 ¥951.46
¥7.6049 ¥3,802.45
¥7.5936 ¥7,593.60
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥7.0964 ¥21,289.20
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
100 V
125 A
4.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: SG
下降时间: 17 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 16 ns
系列: STripFET F8
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 41 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
单位重量: 76 mg
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已选择的属性: 0

数据表

Other

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STL120N10F8 100V N沟道STripFET MOSFET

STMicroelectronics STL120N10F8100V N沟道增强模式STripFET MOSFET采用ST的STripFET F8技术，具有增强型沟槽栅极结构。它确保极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。STMicroelectronics STL120N10F8是开关应用的理想选择。

STripFET F8N通道功率MOSFET

STMicroelectronics的 STripFET F8 N沟道功率MOSFET符合AEC-Q101标准，并提供30V至150V的全面封装解决方案，以满足超高功率密度解决方案的所有要求。这些低压MOSFET采用STPOWER STripFET F8技术。条形场效应晶体管F8技术通过降低导通电阻和开关损耗，同时优化体二极管特性，来节省能量并确保电源转换、电机控制和配电电路的低噪声。STMicroelectronics的 F8 N沟道功率MOSFET可简化系统设计，提高汽车、计算机/外设、数据中心、电信、太阳能、电源/转换器、电池充电器、家用/专业电器、游戏、无人机等应用的效率。

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