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SUP90220E-GE3

Name: Vishay SUP90220E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SUP90220E-GE3
Price: 25.33 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

78-SUP90220E-GE3

制造商编号：

SUP90220E-GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-220AB

数据表:

SUP90220E-GE3 数据表

ECAD模型:

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数量	单价	总价
	¥28.6229	¥28.62
	¥18.6902	¥186.90
	¥12.9837	¥1,298.37
	¥10.2604	¥5,130.20
	¥10.17	¥10,170.00

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	200 V
Id-连续漏极电流:	64 A
Rds On-漏源导通电阻:	18 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	48 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	230 W
通道模式:	Enhancement
商标:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	TW, CN
下降时间:	38 ns
正向跨导 - 最小值:	37 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	35 ns
工厂包装数量:	500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	28 ns
典型接通延迟时间:	15 ns
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

SUP90220E-GE3 数据表

Models

Technical Resources

TO-220AB

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.

工业电源解决方案

Vishay提供业界最广泛的半导体和无源元件产品组合，适用于工业电源应用。Vishay工业电源用产品组合包括功率MOSFET、功率IC、整流器、二极管、电容器、电阻器和电感器。

ThunderFET 150V至250V MOSFET

Vishay Siliconix ThunderFET^® 150V至250V MOSFET是N沟道极性型器件，V_ds 电压为150V、200V和250V。封装类型包括TO-252、PowerPAK SO-8、TO-263和TO-220AB。 SIR692DP 250V器件的品质因数 (FOM) 比前几代MOSFET低42%。 SIR692DP 在各种应用中降低了与功率损耗相关的传导，并提高了功率密度。 PowerPAK SO-8封装通过尽量降低封装电阻和寄生电感，实现了最佳的R_ds、Q_g和Qoss。 Q_oss 通过最大限度减小封装电阻和寄生电感。
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