T2G6000528-Q3

Name: Qorvo T2G6000528-Q3
Brand: Qorvo
SKU: 772-T2G6000528-Q3
Price: 793.65 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

772-T2G6000528-Q3

制造商编号：

T2G6000528-Q3

制造商：

Qorvo

说明：

GaN 场效应晶体管 DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz

数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Qorvo
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	NI-200
晶体管极性:	N-Channel
Id-连续漏极电流:	650 mA
Pd-功率耗散:	12.5 W
商标:	Qorvo
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	US
开发套件:	T2G6000528-Q3-EVB1, T2G6000528-Q3-EVB3, T2G6000528-Q3-EVB5
增益:	15 dB
最大工作频率:	6 GHz
最小工作频率:	0 Hz
湿度敏感性:	Yes
输出功率:	10 W
封装:	Tray
产品类型:	GaN FETs
系列:	T2G6000528
工厂包装数量:	100
子类别:	Transistors
技术:	GaN
晶体管类型:	HEMT
零件号别名:	T2G6000528 1099997
单位重量:	7.396 g

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ECCN:: EAR99

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