T2G6003028-FS

Name: Qorvo T2G6003028-FS
Brand: Qorvo
SKU: 772-T2G6003028-FS
Price: 6088.85 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

772-T2G6003028-FS

制造商编号：

T2G6003028-FS

制造商：

Qorvo

说明：

GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless

数据表:

T2G6003028-FS 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Qorvo
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
封装 / 箱体:	NI-200
商标:	Qorvo
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	US
最大工作频率:	6 GHz
最小工作频率:	0 Hz
湿度敏感性:	Yes
输出功率:	30 W
封装:	Tray
产品类型:	GaN FETs
系列:	T2G6003028
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
技术:	GaN
晶体管类型:	HEMT
零件号别名:	T2G6003028 1100021
单位重量:	17.129 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
JPHTS:: 8542330996
KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

T2G GaN HEMT Transistors

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