TGF2023-2-01

Qorvo
772-TGF2023-2-01
TGF2023-2-01

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB

寿命周期:
NRND:
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数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Qorvo
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
Die
N-Channel
商标: Qorvo
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: US
增益: 18 dB
最大工作频率: 18 GHz
最小工作频率: 0 Hz
输出功率: 6 W
封装: Gel Pack
产品: RF JFET Transistors
产品类型: GaN FETs
系列: TGF2023
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
技术: GaN-on-SiC
晶体管类型: GaN HEMT
类型: GaN SiC HEMT
零件号别名: 1099624
单位重量: 739.600 mg
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5-0810-13

数据表

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CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

TGF2023 GaN HEMT Transistors

Qorvo TGF2023 GaN HEMT Transistors are discrete 1.25 to 20mm Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC-18 GHz. Each device is designed using Qorvo's proven 0.25um GaN production process. This process features advanced field plate techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions.

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

QPD GaN射频晶体管

Qorvo QPD GaN射频晶体管可用于Doherty架构，适用于宏蜂窝高效率系统的基站功率放大器的最后一级。这些GaN晶体管是分立式碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，设有单级匹配功率放大器晶体管。典型应用包括W-CDMA/LTE、宏蜂窝基站、有源天线和通用应用。

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