TGF2023-2-10

Qorvo
772-TGF2023-2-10
TGF2023-2-10

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Qorvo TGF2023-2-10详情
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。

供货情况

库存：
0

您可以延期订购此产品。

生产周期：
20 周 预计工厂生产时间。
最少： 50   倍数： 50
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥958.3191 ¥47,915.96

产品属性 属性值 选择属性
Qorvo
产品种类: GaN 场效应晶体管
交货提醒:
 此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS:  
Die
N-Channel
商标: Qorvo
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: US
增益: 19 dB
最大工作频率: 14 GHz
最小工作频率: 0 Hz
输出功率: 50 W
封装: Gel Pack
产品: RF JFET Transistors
产品类型: GaN FETs
系列: TGF2023
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
技术: GaN-on-SiC
晶体管类型: GaN HEMT
类型: GaN SiC HEMT
零件号别名: TGF2023 1099951
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0 

                        
Qorvo Die products:

Mouser is not authorized to break pack on these products.

Please contact your Mouser Technical Representative for further
information.



5-0810-13

数据表

PCN

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8542330996
KRHTS:
8532331000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
3A001.b.3.b.4

TGF2023 GaN HEMT Transistors

Qorvo TGF2023 GaN HEMT Transistors are discrete 1.25 to 20mm Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC-18 GHz. Each device is designed using Qorvo's proven 0.25um GaN production process. This process features advanced field plate techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions.

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

QPD GaN射频晶体管

Qorvo QPD GaN射频晶体管可用于Doherty架构，适用于宏蜂窝高效率系统的基站功率放大器的最后一级。这些GaN晶体管是分立式碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，设有单级匹配功率放大器晶体管。典型应用包括W-CDMA/LTE、宏蜂窝基站、有源天线和通用应用。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。