TGF2929-FS

Qorvo
772-TGF2929-FS
TGF2929-FS

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Qorvo TGF2929-FS详情

供货情况

库存：
无库存
生产周期：
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥5,530.4686 ¥5,530.47
¥4,830.7839 ¥48,307.84

产品属性 属性值 选择属性
Qorvo
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
NI-360
N-Channel
28 V
12 A
- 7 V, + 2 V
- 2.9 V
144 W
商标: Qorvo
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: US
湿度敏感性: Yes
封装: Tray
产品类型: GaN FETs
系列: TGF2929
工厂包装数量: 25
子类别: Transistors
技术: GaN-on-SiC
类型: RF Power MOSFET
零件号别名: TGF2929 1123716
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

PCN

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8542319000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

TGF2929 GaN RF Power Transistors

Qorvo TGF2929 GaN RF Power Transistors are discrete GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMTs (High-Electron Mobility Transistor) that operate from DC to 3.5GHz. They are constructed with the QGaN25HV process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

QPD GaN射频晶体管

Qorvo QPD GaN射频晶体管可用于Doherty架构，适用于宏蜂窝高效率系统的基站功率放大器的最后一级。这些GaN晶体管是分立式碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，设有单级匹配功率放大器晶体管。典型应用包括W-CDMA/LTE、宏蜂窝基站、有源天线和通用应用。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。