TK080A60Z1,S4X

Toshiba
757-TK080A60Z1S4X
TK080A60Z1,S4X

制造商：

说明：
MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.08 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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库存量: 116

库存：
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在途量:
50
生产周期：
16
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥42.2733 ¥42.27
¥25.2329 ¥252.33
¥19.1083 ¥1,910.83
¥17.5376 ¥8,768.80

产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220SIS-3
N-Channel
1 Channel
600 V
30 A
80 mOhms
30 V
4 V
43 nC
+ 150 C
45 W
Enhancement
Tube
商标: Toshiba
配置: Single
组装国: CN
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 5 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 93 ns
典型接通延迟时间: 60 ns
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TKx硅N沟道MOSFET

Toshiba TKx硅N沟道MOSFET有U-MOSX-H和DTMOSVI类型可供选择，具有卓越的性能特性。这些MOSFET的设计具有快速反向恢复时间，通过减少关断和导通状态之间的延迟，从而可提高高速开关应用的效率。低漏极-源极导通电阻[RDS(on)]有助于将功率损耗降至最低，并可改善热管理，使其成为处理大电流并具有低能量耗散应用的理想选择。

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