TK115U65Z5,RQ

Name: Toshiba TK115U65Z5,RQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK115U65Z5RQ
Price: 44.51 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

757-TK115U65Z5RQ

制造商编号：

TK115U65Z5,RQ

制造商：

Toshiba

说明：

MOSFET N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TOLL, DTMOS?

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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¥-.--

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¥-.--

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数量	单价	总价
	¥50.2963	¥50.30
	¥34.4085	¥344.09
	¥24.8148	¥2,481.48
	¥24.7357	¥12,367.85
	¥23.9899	¥23,989.90
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
	¥23.0746	¥46,149.20

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Toshiba
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TOLL-9
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	24 A
Rds On-漏源导通电阻:	115 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	42 nC
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	190 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Toshiba
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	3.7 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	14 ns
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	83 ns
典型接通延迟时间:	45 ns

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数据表

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TKx硅N沟道MOSFET

Toshiba TKx硅N沟道MOSFET有U-MOSX-H和DTMOSVI类型可供选择，具有卓越的性能特性。这些MOSFET的设计具有快速反向恢复时间，通过减少关断和导通状态之间的延迟，从而可提高高速开关应用的效率。低漏极-源极导通电阻[R_DS(on)]有助于将功率损耗降至最低，并可改善热管理，使其成为处理大电流并具有低能量耗散应用的理想选择。