TPH3R008QM,LQ

Name: Toshiba TPH3R008QM,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPH3R008QMLQ
Price: 15.66 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

757-TPH3R008QMLQ

制造商编号：

TPH3R008QM,LQ

制造商：

Toshiba

说明：

MOSFET 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 3mohm

寿命周期:

新产品:

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数据表:

TPH3R008QM,LQ 数据表 (PDF)

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	¥17.6958	¥17.70
	¥11.2548	¥112.55
	¥7.6614	¥766.14
	¥6.0907	¥3,045.35
	¥5.7065	¥5,706.50
	¥5.5144	¥13,786.00
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Toshiba
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOP-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	170 A
Rds On-漏源导通电阻:	3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	71 nC
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	180 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Toshiba
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	MY
下降时间:	26 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	21 ns
系列:	UMOS9-H
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	85 ns
典型接通延迟时间:	42 ns

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数据表

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

UMOS9-H硅N沟道MOSFET

Toshiba UMOS9-H硅N沟道MOSFET非常适用于高效直流-直流转换器、开关稳压器和电机驱动器。这些MOSFET具有小栅极电荷、小输出电荷、低漏源导通电阻和低漏电流。UMOS9-H N沟道MOSFET具有80V漏源电压、 ±20V栅极-源极电压以及175°C通道温度。这些MOSFET还具有 ±0.1µA栅极漏电流、10µA漏极截止电流以及 -55°C至175°C存储温度范围。UMOS9-H N沟道MOSFET符合RoHS指令，采用0.108g 2-5W1A（SOP高级（N））封装。