TPH8R808QM,LQ

Toshiba
757-TPH8R808QMLQ
TPH8R808QM,LQ

制造商：

说明：
MOSFET 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 8.8mohm

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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数量 单价
总价
¥10.3395 ¥10.34
¥6.5201 ¥65.20
¥4.294 ¥429.40
¥3.3448 ¥1,672.40
¥2.7798 ¥2,779.80
¥2.6103 ¥13,051.50

产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
1 Channel
60 V, 80 V
79 A
8.8 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
26 nC
+ 175 C
109 W
Enhancement
Reel
商标: Toshiba
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: MY
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 10 ns
系列: UMOS9-H
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 33 ns
典型接通延迟时间: 24 ns
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已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

UMOS9-H硅N沟道MOSFET

Toshiba UMOS9-H硅N沟道MOSFET非常适用于高效直流-直流转换器、开关稳压器和 电机驱动器。这些MOSFET具有小栅极电荷、小输出电荷、低漏源导通电阻和低漏电流。UMOS9-H N沟道MOSFET具有80V漏源电压、 ±20V栅极-源极电压以及175°C通道温度。这些MOSFET还具有 ±0.1µA栅极漏电流、10µA漏极截止电流以及 -55°C至175°C存储温度范围。UMOS9-H N沟道MOSFET符合RoHS指令，采用0.108g 2-5W1A（SOP高级（N））封装。

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