UF3C065080K4S

onsemi
431-UF3C065080K4S
UF3C065080K4S

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 583

库存：
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生产周期：
31 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥95.7901 ¥95.79
¥57.404 ¥574.04
¥52.771 ¥5,277.10

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
31 A
100 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
190 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
商标: onsemi
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
下降时间: 8 ns
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 20 ns
系列: UF3C
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 37 ns
典型接通延迟时间: 21 ns
单位重量: 6 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

Models

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D2PAK-3, D2PAK-7, D2PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

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