UF3SC120016K3S

Name: onsemi UF3SC120016K3S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3SC120016K3S
Price: 413.14 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

431-UF3SC120016K3S

制造商编号：

UF3SC120016K3S

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET 1200V/16MOSICFETG3TO247-3

数据表:

UF3SC120016K3S 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解onsemi UF3SC120016K3S详情

库存量: 205

库存：: 205 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 31 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

数量大于205的订购须受最低订购要求的限制。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥466.8482	¥466.85
	¥391.1608	¥3,911.61

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	107 A
Rds On-漏源导通电阻:	21 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	218 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	517 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标名:	SiC FET
商标:	onsemi
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	PH
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
系列:	UF3SC
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
技术:	SiC
单位重量:	6 g

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

UF3SC120016K3S 数据表

Models

UF3SC120016K3S SPICE (文本)

PCN

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UF3SC 650V和1200V高性能碳化硅FET

Qorvo UF3SC 650V和1200V高性能SiC FET是碳化硅器件，具有7mΩ至45mΩ的低R_DS(on)，可实现快速开关和更低的开关损耗。这些器件基于独特的共源共栅电路配置，具有超低栅极电荷。级联配置采用常开SiC JFET与硅MOSFET共同封装，以产生常闭SiC FET器件。UF3SC FET具有标准栅极驱动特性，可真正“直接替代”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或硅超结器件。这些碳化硅FET具有低内在电容和出色的反向恢复性能。Qorvo UF3SC FET的工作温度范围为-55°C至+175°C，栅极-源极电压范围为-20V至+20V。这些碳化硅FET非常适合用于电动汽车(EV)充电、光伏(PV)逆变器、电机驱动器、开关模式电源、功率因数校正 (PFC) 模块和感应加热。Qorvo UF3SC碳化硅FET采用TO-247-3L和TO-247-4L封装选项，可实现更快开关和干净的栅极波形。