XPH1R104PS,L1XHQ

Toshiba
757-XPH1R104PSL1XHQ
XPH1R104PS,L1XHQ

制造商：

说明：
MOSFET 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 1.1 mohm

寿命周期:
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数量 单价
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¥17.6958 ¥17.70
¥11.3339 ¥113.34
¥7.6727 ¥767.27
¥6.102 ¥3,051.00
¥5.7178 ¥5,717.80
¥5.6613 ¥14,153.25
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
¥5.4466 ¥27,233.00

产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
40 V
120 A
1.96 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
55 nC
+ 175 C
132 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: Toshiba
配置: Dual
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: JP
下降时间: 23 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 71 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
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已选择的属性: 0

数据表

Application Notes

Models

Product Catalogs

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

UMOS9-H硅N沟道MOSFET

Toshiba UMOS9-H硅N沟道MOSFET非常适用于高效直流-直流转换器、开关稳压器和 电机驱动器。这些MOSFET具有小栅极电荷、小输出电荷、低漏源导通电阻和低漏电流。UMOS9-H N沟道MOSFET具有80V漏源电压、 ±20V栅极-源极电压以及175°C通道温度。这些MOSFET还具有 ±0.1µA栅极漏电流、10µA漏极截止电流以及 -55°C至175°C存储温度范围。UMOS9-H N沟道MOSFET符合RoHS指令，采用0.108g 2-5W1A（SOP高级（N））封装。

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