XPHR7904PS,L1XHQ

Toshiba
757-XPHR7904PSL1XHQ
XPHR7904PS,L1XHQ

制造商：

说明：
MOSFET 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 0.79mohm

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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库存量: 5,000

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5,000
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在途量:
5,000
生产周期：
77
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥22.2497 ¥22.25
¥14.3962 ¥143.96
¥9.9214 ¥992.14
¥7.9778 ¥3,988.90
¥7.797 ¥7,797.00
¥7.684 ¥19,210.00
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
¥7.4467 ¥37,233.50

产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
40 V
150 A
1.3 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
85 nC
+ 175 C
170 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: Toshiba
配置: Dual
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: JP
下降时间: 35 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 23 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

Application Notes

Models

Product Catalogs

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

UMOS9-H硅N沟道MOSFET

Toshiba UMOS9-H硅N沟道MOSFET非常适用于高效直流-直流转换器、开关稳压器和 电机驱动器。这些MOSFET具有小栅极电荷、小输出电荷、低漏源导通电阻和低漏电流。UMOS9-H N沟道MOSFET具有80V漏源电压、 ±20V栅极-源极电压以及175°C通道温度。这些MOSFET还具有 ±0.1µA栅极漏电流、10µA漏极截止电流以及 -55°C至175°C存储温度范围。UMOS9-H N沟道MOSFET符合RoHS指令，采用0.108g 2-5W1A（SOP高级（N））封装。

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