GP3T040A120H

Name: SemiQ GP3T040A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3T040A120H
Price: 57.24 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

148-GP3T040A120H

制造商编号：

GP3T040A120H

制造商：

SemiQ

说明：

碳化硅MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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数量	单价	总价
	¥64.6812	¥64.68
	¥44.0926	¥440.93
	¥37.8889	¥4,546.67
	¥31.5948	¥16,113.35

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	SemiQ
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4L
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	140 A
Rds On-漏源导通电阻:	52 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 4.5 V, + 18 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	108 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	246 W
通道模式:	Enhancement
商标:	SemiQ
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	TW
下降时间:	10 ns
正向跨导 - 最小值:	12 S
封装:	Tube
产品:	MOSFETs
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	8 ns
系列:	GP3T
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
技术:	SiC
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	SiC MOSFET
典型关闭延迟时间:	31 ns
典型接通延迟时间:	17 ns

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数据表

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GEN3 1200V SiC MOSFET分立器件

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.