LMG2100R026VBNR

Texas Instruments
595-LMG2100R026VBNR
LMG2100R026VBNR

制造商：

说明：
栅极驱动器 100V 2.6m? half-brid ge gallium nitride

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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库存量: 7,632

库存：
7,632 可立即发货
生产周期：
12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥110.2089 ¥110.21
¥88.1626 ¥881.63
¥85.4619 ¥2,136.55
¥74.1732 ¥7,417.32
¥70.8736 ¥17,718.40
¥64.6134 ¥32,306.70
¥64.4439 ¥64,443.90
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥55.0649 ¥137,662.25
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
VQFN-16
1 Driver
1 Output
8 A
4.75 V
5.25 V
- 40 C
+ 125 C
LMG2100R026
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
组装国: PH
扩散国家: US
原产国: PH
特点: Low Power Consumption
输入电压 - 最大值: 5.25 V
输入电压 - 最小值: 4.75 V
湿度敏感性: Yes
输出电压: 12 V
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 55 ns
Rds On-漏源导通电阻: 3.5 mOhms
关闭: No Shutdown
工厂包装数量: 2500
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG2100R026 GaN半桥功率级

Texas Instruments LMG2100R026 GaN半桥功率级集成栅极驱动器和增强模式氮化镓（GaN）FET。93V连续、100V脉冲、53A半桥功率级包括两个GaN FET，由半桥配置中的一个高频GaN FET驱动器驱动。驱动器和两个GaN FET安装在一个完全无引线键合的封装平台上，封装寄生元件最小化。

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