IMT65R010M2HXUMA1

Infineon Technologies
726-IMT65R010M2HXUMA
IMT65R010M2HXUMA1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

寿命周期:
新产品:
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库存量: 1,892

库存：
1,892
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生产周期：
8
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥166.9236 ¥166.92
¥122.9214 ¥1,229.21
¥114.9775 ¥11,497.75
¥114.8871 ¥114,887.10
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
¥107.3613 ¥214,722.60

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
650 V
168 A
13.1 mOhms
- 7V, + 23 V
4.5 V
113 nC
- 55 C
+ 175 C
681 W
Enhancement
CoolSiC
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: AT
下降时间: 9.4 ns
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: SiC MOSFETS
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 24 ns
系列: 650V G2
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: SiC MOSFET
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
零件号别名: IMT65R010M2H SP006051121
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ 650 V G2碳化硅MOSFET

英飞凌科技CoolSiC™ 650V G2碳化硅MOSFET利用 碳化硅的性能能力，降低能量损耗，从而在电源转换过程中实现更高的效率。 英飞凌CoolSiC 650V G2 MOSFET为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动器和工业电源等各种功率半导体应用带来优势。配备CoolSiC G2的电动汽车DC快速充电站与上一代产品相比，功率损耗可减少10%，同时在不影响外形因子的前提下，实现更高的充电容量。

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